دانشمندان آلمانی موفق به ساخت نسل بعدی حافظه‌های رم مغناطیسی (MRAM) شدند.

گفته می‌شود سرعت این حافظه‌ها می‌تواند تا جائی که محدودیت‌های اساسی و بنیادی اجازه می‌دهند افزایش یابد.

به گفته محققین، رم‌های مغناطیسی با داشتن توانائی برای ذخیره اطلاعات حجیم آن هم با سرعت بالا و حتی حفظ این اطلاعات در هنگام قطع برق، قادر خواهند بود تا ویژگی بوت آنی (Instant Boot) را در کامپیوترها و تجهیزات موبایل فراهم آورند.

پی‌سی‌های امروزی معمولاً از حافظه‌های دینامیک یا استاتیک (SRAM و DRAM) که اطلاعات را با استفاده از شارژ الکتریکی بر روی خود ذخیره می‌کنند استفاده می‌نمایند.

با وجود اینکه این حافظه‌ها از سرعت قابل قبولی برخوردار می‌باشند، اما در زمان قطع برق کلیه اطلاعات موجود بر روی آنها از دست خواهد رفت که به همین دلیل به آنها «حافظه‌های فرّار» نیز گفته می‌شود.

Hans Werner Schumacher یکی از محققین پروژه حافظه‌های مغناطیسی MRAM از Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) می‌گوید: «حافظه‌های فرّار در زمان قطع برق اطلاعات خود را از دست می‌دهند. به همین دلیل است که شما در هنگام بوت شدن سیستم خود مجبور هستید تا برای مدتی منتظر بمانید.»

«در مدت زمانی که سیستم بوت می‌شود، کامپیوتر اطلاعاتی را از روی هارد دیسک برداشته و بر روی حافظه‌های غیرفرّار سیستم می‌نویسد.»

Schumacher از حافظه‌های فلش بعنوان نمونه‌ای از حافظه‌های غیرفرّار نام برد. امروزه از این حافظه‌ها در برخی از تجهیزات موبایل و دوربین‌ها و همچنین در مدل‌هایی از کامپیوترها مانند دستگاه‌های OLPC و Eee PC ایسوس استفاده می‌شود.

MRAM نمونه دیگری از حافظه‌های غیرفرّار اس